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1、输出特征
图2 （b)是三极管的输出特征曲线，它示意Ib随Ube的变革干系，其特性是：1）当Uce在0-2伏范畴内，曲线地位和外形与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce根本有关平日输出特征由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）示意即可。
2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增长而增长，缩小时，三极管事情在较直线的区段。
3）三极管输出电阻，界说为:
rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其预算公式为：
rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）
rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。
2、输入特征
输入特征示意Ic随Uce的变革干系（以Ib为参数）从图2（C）所示的输入特征可见，它分为三个地区：停止区、缩小区和饱和区。
停止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但因为分子的热活动，集电集仍有小量电流畅过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的干系是：
Icbo=(1+β)Icbo
常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，关于锗管，温度每降低12℃，Icbo数值增长一倍，而关于硅管温度每降低8℃，Icbo数值增大一倍，固然硅管的Icbo随温度变革更猛烈，但因为锗管的Icbo值自身比硅管大，以是锗管依然受温度影响较紧张的管，缩小区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏事情时，Ic随Ib类似作线性变革，缩小区是三极管事情在缩小形态的地区。
饱和区 当发射结和集电结均处于正偏形态时，Ic根本上不随Ib而变革，得到了缩小功用。依据三极管发射结和集电结偏置状况，大概鉴别其事情形态。
图2、三极管的输出特征与输入特征
停止区和饱和区是三极管事情在开关形态的地区，三极管和导通时，事情点落在饱和区，三极管停止时，事情点落在停止区。
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