四探针电阻率测试仪D41-11C/ZM
产品咨询:
产品商标 :
北京建中
产品产地 :
北京
产品描述 :
设备用于测量硅片的薄层电阻和电阻率,也能测量其他半导体片、膜的薄层电阻和电阻率,且可对扩散、外延、离子注入等工艺设置进行监测和评估,该测试仪还可用于镀膜玻璃行业对金属膜层的薄膜电阻进行测量。
产品代码 :
D41-11C/ZM
最低订货量 :
1台
FOB地点 :
北京
交货期限 :
4~8周
产品详细描述:
1.采用工控机控制、基于WINDOWS98系统平台的测试程序,具有良好的人机界面。
2.可以通过鼠标输入的方式选择测量项目、测量方式、测量方法等测试所需参数,操作简单,方便。
3.根据需要对测量参数进行保存、打印,并可根据所选数据的结果绘制、打印直方图,以满足用户进行数据统计和数据管理等要求的需要。
4.探头采用美国原装产品,测试稳定、可靠。
产品选型详见订货须知。
主要指标:
适用晶片尺寸:2
电阻率(Ω·cm):6E-3~5E4
测量精度:(1~100)Ω·cm ≤±3%,高阻、低阻≤±5%
薄层电阻(Ω/□):1E-1~9E5
测量精度:(1~1000)Ω/□ ≤±3%,高阻、低阻≤±5%
金属电阻(Ω):3E-2~2E5
测量精度:≤±3%